BLP10H660PGY
Beschreibung:
MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
In-stock:
auf Lager
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
FETs, MOSFETs
HF-FETs und MOSFETs
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Nennspannung:
110 V
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Geräuschwerte:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
4-HSOP
Spannung - Test:
50 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Häufigkeit:
1 GHz
Gewinn:
18dB
Packung / Gehäuse:
4-BESOP (0,173", 4,40 mm Breite)
Gegenwärtig - Test:
40 MA
Leistung - Leistung:
60 W
Technologie:
ldmos
Leistungsbewertung (Ampere):
1,4 µA
Basisproduktnummer:
BLP10
Einführung
RF Mosfet 50 V 40 mA 1 GHz 18 dB 60W 4-HSOP
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: