Das ist der Fall.
Beschreibung:
IGBT-Module 600V 150A 340W SP1
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
150 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
sp1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 100A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
sp1
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
µA 250
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Leistung - Max.:
340 Watt
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
6.1 nF @ 25 V
Konfiguration:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Ja, das ist es.
Basisproduktnummer:
APTGT100
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 600 V 150 A 340 W Fahrgestell SP1
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Lagerbestand:
MOQ: