Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Vorrichtungen zu verwenden.
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 610A 2080W D3
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
610 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
Modul D-3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 400A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
D3
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Leistung - Max.:
2080 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
24.6 nF @ 25 V
Ausstattung:
Halbbrücke
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGL475
Einführung
IGBT-Modul Grabenfeld-Stopp Halbbrücke 1200 V 610 A 2080 W Fahrgestellmontage D3
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Lagerbestand:
MOQ: