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Beschreibung:
IGBT-Module 600V 300A 652W SP6
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
300 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Packung / Gehäuse:
SP6
Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:
1.9V @ 15V, 200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
600 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SP6
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal):
350 µA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Leistung - Max.:
652 W
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
12.2 nF @ 25 V
Konfiguration:
Dreistufiger Wechselrichter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
APTGT200
Einführung
IGBT-Modul Gräbenfeld-Stopp Drei-Ebenen-Wechselrichter 600 V 300 A 652 W Fahrgestellmontage SP6
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Lagerbestand:
MOQ: