FZ1200R12HE4PHPSA1
Beschreibung:
IGBT-Module 1200V 1825A
Kategorie:
TI integrierte Schaltung
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
IGBTs
IGBT-Module
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):
1825 A
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Paket:
Tray
Reihe:
IHM-B
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 1200A
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
1200 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Modul
Mfr:
Infineon Technologies
Betriebstemperatur:
-40 °C ~ 150 °C
Strom - Sammlergrenze (maximal):
5 MA
IGBT-Art:
Graben-Feld-Halt
Packung / Gehäuse:
Modul
Eingabe:
Standards
Eintrittskapazität (Cies) @ Vce:
74 nF @ 25 V
Ausstattung:
Einzelner Schalter
NTC-Thermistor:
- Nein.
Basisproduktnummer:
FZ1200
Einführung
IGBT-Module Gräbenfeld-Stop Einzelschalter 1200 V 1825 A Fahrgestellmontage-Modul
Senden Sie RFQ
Lagerbestand:
MOQ: