Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 übermittelt.
Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule GigaMOS-Grenz T2 HyperFET PWR MOSFET
Kategorie:
Integrierter Schaltungschip
In-stock:
Vorräte
Zahlungs-Methode:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Spezifikationen
Produktkategorie:
Getrennte Halbleiter-Module
Montage-Stil::
SMD/SMT
Mindestbetriebstemperatur::
- 55 C
Packung / Koffer::
SOT-227B
Höchstbetriebstemperatur::
+ 175 C
Verpackung::
Schlauch
Reihe::
IXTN600N04
Typ::
TrenchT2 GigaMOS
Hersteller::
IXYS
Einführung
Der IXTN600N04T2 von IXYS ist ein diskretes Halbleitermodul. Wir bieten einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, in Original- und neuen Teilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Lagerbestand:
In Stock
MOQ: